这是一份半导体行业常见术语缩写的总结，涵盖了从制造、设计、封装到设备、材料等各个环节。请注意，部分缩写可能有多个含义，具体需根据上下文判断。
"一、 设计与验证 (Design & Verification)"
1. "ASIC": Application-Specific Integrated Circuit (专用集成电路) - 为特定应用设计的复杂集成电路。
2. "ASSP": Application-Specific Standard Product (专用标准产品) - 功能相对固定、面向特定应用的集成电路，介于通用逻辑和ASIC之间。
3. "LSI": Large-Scale Integration (大规模集成) - 集成数十到数千个晶体管的集成电路。
4. "VLSI": Very Large-Scale Integration (超大规模集成) - 集成数千到数百万个晶体管的集成电路，现代芯片通常属于此类。
5. "ULSI": Ultra Large-Scale Integration (超超大规模集成) - 集成数百万个以上晶体管的集成电路。
6. "ASIC Design": ASIC设计 - 设计专用集成电路的过程。
7. "FPGA": Field-Programmable Gate Array (现场可编程门阵列) - 可以在出厂后由用户自行编程的集成电路，用于原型验证、快速定制等。
8. "ASIC Fabrication": ASIC制造 - 指将设计好的ASIC芯片通过半导体工艺制造出来的过程（通常外包给Foundry）。
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作为半导体行业新人来说，最痛苦的莫过于各种缩写词术语了，有的缩写词一样但是会有不同的解释。这里作者给大家整理了部分术语词典，后面会按照更新顺序一一分享出来。
废话不多说，直接开始，如有遗漏，欢迎大家在评论区或者私信补充，作者会在后面单开一篇来补充：
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M-开头缩写
缩写 | 英文全称 | 中文解释 | 技术说明/原文出处 |
M0 | Metal 0 | 第零层金属 | 最底层钨互连（晶体管接触层） |
M1 | Metal 1 | 第一层金属 | 互连基础布线层 |
MAGLEV TMP | Magnetic Levitation Turbo Molecular Pump | 磁悬浮涡轮分子泵 | 无接触轴承，真空度5×10⁻⁸ Torr（设备子系统） |
MBE | Molecular Beam Epitaxy | 分子束外延 | 量子点原子层生长（-269°C） |
MCM | Multi-Chip Module | 多芯片模组 | GPU/HBM并排封装（先进封装章） |
MES | Manufacturing Execution System | 制造执行系统 | 晶圆厂生产调度核心（Fab管理章） |
MFC | Mass Flow Controller | 质量流量控制器 | 工艺气体流量控制±0.5%（设备章） |
MGD | Metal Gate Dummy | 金属栅虚设层 | 消除CMP不均匀性（文档第8节） |
MGG | Metal Gate Granularity | 金属栅晶粒控制 | 阈值电压波动源（3nm节点） |
MG | Metal Gate | 金属栅 | 替代多晶硅栅（TiN/TaN材料） |
MGC | Metal Gate Cut | 金属栅切割 | EUV多重曝光实现栅极隔离（光刻章） |
MGI | Metal Gate Induced | 金属栅感应效应 | 影响载流子迁移率（器件物理章） |
MIS | Metal-Insulator-Semiconductor | 金属-绝缘体-半导体 | MOSFET栅结构基础 |
MISFET | Metal-Insulator-Semiconductor FET | 金属-绝缘体-半导体场效应管 | 高压器件应用 |
MEMS | Micro-Electro-Mechanical System | 微机电系统 | 加速度计/陀螺仪（特色工艺章） |
METROX | Metal-Oxide EUV Resist | 金属氧化物EUV胶 | HfO₂/SnO₂纳米簇（光刻胶章） |
MOCVD | Metal-Organic CVD | 金属有机源化学气相沉积 | GaN外延（TMGa+NH₃） |
MOL | Middle-of-Line | 中线工艺 | 晶体管与互连过渡层（接触孔/通孔） |
MONO 3D | Monolithic 3D Integration | 单片三维集成 | 纳米线键合（<10nm间距） |
MOS | Metal-Oxide-Semiconductor | 金属氧化物半导体 | 晶体管基础结构 |
MOSFET | Metal-Oxide-Semiconductor FET | 金属氧化物半导体场效应管 | 核心开关器件 |
MO | Mistake Operation | 误操作 | 设备人为操作错误（Fab管理章） |
MPC | Model Predictive Control | 模型预测控制 | 优化CMP参数（控制章） |
MPM | Multi-Patterning Module | 多重图形化模块 | SADP/SAQP技术 |
MPW | Multi-Project Wafer | 多项目晶圆 | 共享掩模成本 |
MPSP | Multi-Patterning Splitting Process | 多重图形拆分工艺 | <3nm节点图形化 |
MRAM | Magnetoresistive RAM | 磁阻随机存储器 | 自旋电子存储 |
MTJ | Magnetic Tunnel Junction | 磁性隧道结 | STT-MRAM核心（TMR>200%） |
MTTF | Mean Time To Failure | 平均失效时间 | 可靠性核心指标 |
MUR | Metal Underlayer Resist | 金属底层光刻胶 | 提升EUV吸收率 |
MVM | Matrix-Vector Multiplication | 矩阵向量乘法 | AI加速器核心 |
MYLAR | Polyester Film Substrate | 聚酯薄膜基板 | 柔性电子封装 |
μ-TSV | Micro Through-Silicon Via | 微硅通孔 | 直径<5μm（3D集成章） |
μc-Si | Microcrystalline Silicon | 微晶硅 | 薄膜晶体管沟道材料 |
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N-开头缩写
缩写 | 英文全称 | 中文解释 | 技术说明/应用领域 |
NA | Numerical Aperture | 数值孔径 | 光刻机光学系统关键指标，High-NA EUV（NA=0.55）可实现更高分辨率 |
NAND | Not AND | 与非门（闪存） | 闪存存储器架构，如3D NAND，通过高深宽比刻蚀（HAR Etch）堆叠层数 |
NBTI | Negative Bias Temperature Instability | 负偏压温度不稳定性 | PMOS器件可靠性问题，栅极负偏压和高温下导致阈值电压漂移 |
NCL | No Clean Flux | 免清洗助焊剂 | 先进封装工艺中使用，减少后续清洗步骤，提高良率 |
NDD | Non-Destructive Detection | 无损检测 | 用于晶圆缺陷检查，避免损伤样品，如X射线衍射（XRD） |
NEP | Noise Equivalent Power | 噪声等效功率 | 光学或电子检测器的灵敏度指标，值越低灵敏度越高 |
NF₃ | Nitrogen Trifluoride | 三氟化氮 | 腔室清洗气体，在等离子体环境中分解产生氟自由基以清洁沉积物 |
NGL | Next-Generation Lithography | 下一代光刻技术 | 泛指EUV之后的光刻技术，如纳米压印（NIL）、电子束光刻等 |
NIL | Nanoimprint Lithography | 纳米压印光刻 | 通过物理压印转移图形，分辨率高（可达5nm），成本相对EUV较低 |
NMP | N-Methyl-2-Pyrrolidone | N-甲基-2-吡咯烷酮 | 一种光刻胶剥离剂和清洗溶剂，也可用于剥离临时键合胶 |
NMOS | N-channel MOSFET | N沟道MOSFET | 由电子作为载流子的MOSFET，源漏通常注入As（砷）或P（磷） |
NVM | Non-Volatile Memory | 非易失性存储器 | 断电后数据不丢失的存储器，如Flash（闪存）、RRAM、MRAM等 |
NW | Nanowire | 纳米线 | GAA（全环绕栅极）晶体管中的沟道结构，用于3nm及以下技术节点 |
N₂ | Nitrogen | 氮气 | 晶圆厂广泛使用的惰性保护气体，用于 purge（吹扫）和创造无氧环境 |
N₂O | Nitrous Oxide | 氧化亚氮 | 一种氧化性工艺气体，可用于热氧化或CVD沉积过程 |
N₂/H₂ | Forming Gas | 合成气（氮氢混合气） | 通常为97% N₂ + 3% H₂，用于退火工艺中的还原性氛围，防止氧化 |
N+ | N-type Heavy Doping | N型重掺杂 | 指高浓度的N型掺杂区域，如NMOS的源漏（Source/Drain）区 |
N-Well | N-Type Well | N型阱 | 在P型衬底上形成的N型掺杂区域，用于容纳PMOS晶体管 |
N-P Junction | N-P Junction | N-P结 | 半导体器件的基本结构，是二极管、晶体管工作的基础 |
N-Type Si | N-Type Silicon | N型硅 | 掺入V族元素（如P、As）的硅，多数载流子为电子 |
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